特許

J-GLOBAL ID：201103007238153369

薄膜キャパシタ

発明者： 金井 秀之 ,  山下 洋八 ,  山川 晃司 ,  有隅 修 ,  中村 新一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252444
特許番号：特許第3294214号
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された下部電極と、この下部電極上に形成された誘電体膜と、この誘電体膜上に形成された上部電極とからなる薄膜キャパシタにおいて、前記下部電極はXRuO3 膜(但し、XはCa,Sr,Baの中から選ばれた少なくとも1種)であり、前記基板と下部電極との間にアモルファスの酸化Z膜(但し、ZはCa,Sr,Baの中から選ばれた少なくとも1種)を形成してなることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161422   出願人：ソニー株式会社
• ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293698   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161422   出願人：ソニー株式会社
• ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293698   出願人：富士通株式会社