受光素子及びそれを用いた光電変換装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089007
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286443
特許番号：特許第3919378号
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板上に設けられた第1導電型の第1エピタキシャル半導体領域と、該第1エピタキシャル半導体領域に接し、且つ遮光層により規定される開口部に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、該第2半導体領域の主表面上に設けられた第1導電型の第3半導体領域と、前記第2半導体領域に形成された電極領域である第2導電型の第4半導体領域と、該電極領域に電気的に接続された配線手段と、を有する受光素子であって、前記半導体基板と前記第1エピタキシャル半導体領域との間に第1導電型の第5半導体領域を有し、前記第5半導体領域の不純物濃度は前記半導体基板、及び前記第1エピタキシャル半導体領域よりも高いことを特徴とする受光素子。

IPC (1件)：