特許

J-GLOBAL ID：201103007437549395

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路及びその製造方法

発明者： 山幡 章司 ,  石橋 忠夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  石川 義雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284327
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111095
特許番号：特許第3688952号
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半絶縁性InP基板上に、n形InPコレクタコンタクト層、n形InGaAsP及びアンドープInGaAsからなるコレクタ層、p形炭素ドープInGaAs及びp形炭素ドープInGaAsPから成るベース層、n形InPエミッタ層、n形InPとn形InGaAsから成るエミッタコンタクト層で構成されるメサ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタと、 前記半絶縁性InP基板上に、前記コレクタコンタクト層に相当するn形電極層、前記コレクタ層の一部に相当するキャリア走行層、前記ベース層の一部に相当するp形光吸収層、前記コレクタ層の一部に相当するアンドープInGaAs層中にBeイオン注入により形成されるp形InGaAs光吸収層、前記ベース層の一部に相当するp形キャリアブロック層で構成される単一走行キャリアフォトダイオードとを含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路。

IPC (8件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/73

FI (6件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/265 601 A ,  H01L 29/205 ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/14 J ,  H01L 29/72

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-342175
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-312650   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-024032   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平4-342175
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-312650   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-024032   出願人：住友電気工業株式会社