特許
J-GLOBAL ID：201103007475555781

半導体デバイスの製造方法および搬送装置

発明者：
田中 慶一

田中 慶一 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-255513
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100901
出願日： 2009年11月06日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：
【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、 重ね合わされた前記複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、 前記接合ステップにより接合された前記複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、 前記接合ステップに先立って前記複数の半導体基板を前記冷却室に載置し、前記複数の半導体基板の温度と前記冷却室の温度差によって生じる熱泳動により前記複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップと を有する半導体デバイスの製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/677 ,  H01L 21/683 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/14 ,  B23K 20/26 ,  B23K 20/24
FI (8件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/68 A ,  H01L21/68 N ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/00 340 ,  B23K20/14 ,  B23K20/26 ,  B23K20/24
Fターム (30件)：
4E067AA15 ,  4E067BB02 ,  4E067CA04 ,  4E067DA00 ,  4E067DB01 ,  4E067DC01 ,  4E067DC04 ,  4E067DD00 ,  4E067EA05 ,  4E067EB00 ,  5F031CA02 ,  5F031CA20 ,  5F031FA01 ,  5F031FA05 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031FA15 ,  5F031FA21 ,  5F031FA30 ,  5F031GA01 ,  5F031GA25 ,  5F031GA45 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031HA16 ,  5F031MA04 ,  5F031NA05 ,  5F031NA07 ,  5F031PA26
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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