半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271259
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093929
特許番号：特許第3526420号
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、この第1絶縁膜の表面に形成された溝内に埋め込まれたCuパッド電極と、このCuパッド電極の表面の一部に形成され、Cuとそれ以外の第1金属との合金からなる合金層と、前記第1絶縁膜上に形成され、前記合金層の一部が露出し、かつ前記Cuパッド電極が露出しない開口部を有する第2絶縁膜と、前記開口部内の前記合金層上に形成され、Cuとそれ以外の第2金属とからなるハンダバンプとを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：