特許
J-GLOBAL ID:201103007775816978
半導体処理システムにおける漏電遮断の防止
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (10件):
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 竹内 英人
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-535036
特許番号:特許第4395258号
出願日: 1999年02月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板処理システムの処理チャンバー内に配置されたペデスタルを加熱するよう構成されたペデスタル加熱システムであって、
ヒータ電源と、
前記ヒータ電源に接続されたトランスと、
ペデスタル内に配置され、前記トランスに接続されたヒータエレメントとを有し、
前記トランスは、前記ヒータエレメントから前記処理チャンバーのチャンバー壁への漏れ電流を低減するよう構成されており、
さらに、
RFエネルギー源と、
前記RFエネルギー源に接続され、処理チャンバー内に配置されているRF電極と、
ペデスタル内に配置されたRFグランド電極と、
前記トランスと前記ヒータエレメントとの間に接続され、前記RFエネルギー源からの前記トランスを通るRFエネルギーのフィードスルーを低減するよう構成されたフィルタと、
を有することを特徴とするペデスタル加熱システム。
IPC (4件):
H01L 21/683 ( 200 6.01)
, C23C 16/46 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H05B 3/00 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 21/68 N
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H05B 3/00 320 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-002549
出願人:株式会社日立製作所
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ウェハ保持部材
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-077908
出願人:京セラ株式会社
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特開2048-116123
-
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-106045
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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審査官引用 (5件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-002549
出願人:株式会社日立製作所
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ウェハ保持部材
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-077908
出願人:京セラ株式会社
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特開2048-116123
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特開2048-116123
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プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-106045
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
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