薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346489
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168355
特許番号：特許第4272320号
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に第1の電極層、複数の薄膜光電変換ユニット、及び第2の電極層を順次積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換セルを具備し、前記複数の薄膜光電変換ユニットはそれぞれ吸収波長域が異なり且つタンデム型構造を形成する薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法であって、前記複数の薄膜光電変換セルの1つに対して、前記複数の薄膜光電変換ユニットの1つが他に比べて光起電力がより小さくなるように光を照射しつつ逆バイアス電圧を印加することにより、前記光起電力のより小さな薄膜光電変換ユニットに形成された短絡部を絶縁する工程を含むことを特徴とする薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/04 K

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開昭62-176174
特開昭62-176173
特開昭62-176172

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