特許
J-GLOBAL ID：201103007835502595
ナノインプリント方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 信和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009002503
公開番号（公開出願番号）：WO2009-153925
出願日： 2009年06月03日
公開日（公表日）： 2009年12月23日
要約：
【課題】 基板上に高精度にパターンを形成することができるナノインプリント方法及びナノインプリント装置を提供する。【解決手段】 ナノインプリント方法は、硬化性樹脂が塗布された基板に凹凸形状のパターンが形成されたテンプレートを押圧する方法である。そしてナノインプリント方法は、基板の被加工領域毎に設定された計測点のうち予め選択された所定数のサンプル計測点の位置を計測する計測工程と、サンプル計測点の計測位置を演算パラメータとして統計演算を行い被加工領域の変形状態を算出する算出工程と、算出工程が算出した被加工領域の変形状態に基づいてテンプレートを変形する変形工程と、変形されたテンプレートを被加工領域に押圧する押圧工程と、を備える。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
硬化性樹脂が塗布された基板に凹凸形状のパターンが形成されたテンプレートを押圧するナノインプリント方法において、
前記基板の被加工領域毎に設定された計測点のうち、予め選択された所定数のサンプル計測点の位置を計測する計測工程と、
前記サンプル計測点の計測位置を演算パラメータとして統計演算を行い、前記被加工領域の変形状態を算出する算出工程と、
前記算出工程が算出した前記被加工領域の変形状態に基づいて前記テンプレートを変形する変形工程と、
前記変形されたテンプレートを前記被加工領域に押圧する押圧工程と、
を備えることを特徴とするナノインプリント方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, B29C59/02 Z
4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH73
, 4F209AP06
, 4F209AR07
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN06
, 4F209PN13
, 4F209PQ11
, 5F046AA28
