特許
J-GLOBAL ID：200903024626288466
パターン形成方法およびパターン形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014525
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200953
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】ナノインプリント技術を用いたパターン形成においては、金型とパターン転写する基板との接触が避けられない。接触,押し付けの工程で樹脂膜が不安定に変形することに伴い、位置ずれを生じる。更に、接触,押し付け工程において、被転写基板との間の平行度が確保されない場合、転写後の樹脂に厚さムラが生じ、結果としてパターンエッチング不良が生じる。【解決手段】本発明は、凹凸形状のパターンが形成された金型を樹脂膜が塗布された基板に押し付けてパターンを形成するナノインプリントを用いたパターン形成方法において、該樹脂膜を塗布した基板の裏面に形成されたアライメントマークの位置を検出することによって、該金型と該樹脂膜が塗布された基板との相対的な位置合わせを行う工程を含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
凹凸形状のパターンが形成された金型を樹脂膜が塗布された基板に押し付けてパターンを形成するナノインプリントを用いたパターン形成方法において、該樹脂膜を塗布した基板の裏面に形成されたアライメントマークの位置を検出することによって、該金型と該樹脂膜が塗布された基板との相対的な位置合わせを行う工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
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米国特許5,259,926号公報
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米国特許5,772,905号公報
審査官引用 (10件)
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