特許
J-GLOBAL ID:201103008113189180

ジチエノ[2,3-d:2’,3’-d]ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン系の高性能で溶液加工可能な半導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 江藤 聡明
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-515389
公開番号(公開出願番号):特表2011-526588
出願日: 2009年06月25日
公開日(公表日): 2011年10月13日
要約:
一般式(I)のジチエノベンゾジチオフェン: 【化1】 式中、 R1〜R6は、各々の独立して、a)H、b)ハロゲン、c)-CN、d)-NO2、e)-OH、f)C1-20アルキル基、g)C2-20アルケニル基、h)C2-20アルキニル基、i)C1-20アルコキシ基、j)C1-20アルキルチオ基、k)C1-20ハロアルキル基、I)-Y-C3-10シクロアルキル基、m)-Y-C6-14アリール基、n)-Y-3-12員環のシクロヘテロアルキル基、またはo)-Y-5-14員環のヘテロアリール基、 [式中、各々のC1-20アルキル基、C2-20アルケニル基、C2-20アルキニル基、C3-10シクロアルキル基、C6-14アリール基、3-12員環シクロヘテロアルキル基、および5-14員環のヘテロアリール基は、1〜4個のR7基で置換されていてもよく、 式中、R1とR3とR2とR4は、一緒になって脂肪族の環状基を形成していてもよい]」から選ばれ、 Yは、独立して、2価のC1-6アルキル基、2価のC1-6ハロアルキル基、または共有結合から選ばれ、 mは、独立して0、1、または2から選ばれる。 本発明はまた、請求項1〜4のいずれか一項に記載のジチエノベンゾジチオフェンの半導体または電荷輸送材としての、薄膜トランジスタ(TFT)としての、有機発光ダイオード(OLED)用の半導体部品内での、光発電部品用の、センサー内での電池の電極材料としての、光学導波路としての、あるいは電子写真用途での利用に関する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
一般式(I)のジチエノベンゾジチオフェン:
IPC (5件):
C07D 495/22 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/40
FI (5件):
C07D495/22 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 310J
Fターム (23件):
4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB03 ,  4C071CC24 ,  4C071DD01 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071KK01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32
引用特許:
審査官引用 (3件)

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