特許
J-GLOBAL ID：201103008146681179
多層配線基板の製造方法、及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177004
特許番号：特許第3585796号
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】支持体上に金属層を形成する工程と、前記金属層に一以上の開口部を形成する工程と、全体に表面被覆用金属層を形成し、該表面被覆用金属層と前記金属層とを含み一以上の凹部が形成されたコンデンサ下部電極用金属層を形成する工程と、化学的気相成長法又はスパッタリングにより、前記コンデンサ下部電極用金属層の表面形状に対応するような表面形状を有するコンデンサ用誘電体層を該コンデンサ下部電極用金属層上に形成する工程と、前記コンデンサ用誘電体層上にコンデンサ上部電極用金属層を形成する工程と、前記コンデンサ上部電極用金属層を形成した後に、前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 B
, H05K 3/46 Q
, H01L 23/12 N
