特許
J-GLOBAL ID：201103008246398342
リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015072
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044564
特許番号：特許第3672227号
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、 該基板上に設けられた第1クラッド層と、該第1クラッド層上に積層された活性層と、該活性層上に積層されて、該活性層の両側部分の間の中央部領域の上方にリッジ形状を有する第2クラッド層とを有するクラッド構造と、 該第2クラッド層の該リッジ形状に電流を狭窄するために該第2クラッド層上における該リッジ形状の両側のそれぞれの領域に該リッジ形状を挟んで設けられた一対の電流ブロック層と、 を備えたリッジ型半導体レーザ素子であって、 前記各電流ブロック層の下方の前記クラッド構造の領域が、それぞれ、第2導電型ドーパントが注入された第2導電型ドーパント注入領域になるとともに、前記各第2導電型ドーパント注入領域にそれぞれ接する前記クラッド構造の領域が、前記活性層の両端にそれぞれ接して第1導電型ドーパントが注入された第1導電型ドーパント注入領域になっており、 相互に接する前記第1導電型ドーパント注入領域及び第2導電型ドーパント注入領域によって挟まれた前記活性層の中央部領域に電流が狭窄されることを特徴とする、リッジ型半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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