特許

J-GLOBAL ID：201103008261901603

化合物半導体薄膜の製造方法、太陽電池および化合物半導体薄膜製造装置

発明者： 和田 隆博 ,  山添 誠司 ,  山田 明
出願人/特許権者： 学校法人 龍谷大学 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (4件)： 辻丸 光一郎 ,  中山 ゆみ ,  吉田 玲子 ,  伊佐治 創
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-198000
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187920
出願日： 2010年09月03日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】 緻密で表面平滑性に優れた、太陽電池に好適に使用できるCIGS薄膜等の化合物半導体薄膜を、非真空プロセスにおいて、生産性よく、容易に低コストで提供する。【解決手段】 ΙB族元素、ΙΙΙB族元素およびVΙB族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙB族元素、ΙΙΙB族元素およびVΙB族元素を含有する塗布剤を調製する工程と、前記塗布剤を基板に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を、機械的に圧力を加えた条件下で加熱して焼結させる加圧焼成工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ΙB族元素、ΙΙΙB族元素およびVΙB族元素を含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、ΙB族元素、ΙΙΙB族元素およびVΙB族元素を含有する塗布剤を調製する工程と、 前記塗布剤を基板に塗布して塗布膜を形成する工程と、 前記塗布膜を、機械的に圧力を加えた条件下で加熱して焼結させる加圧焼成工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (6件)：

5F151AA10 ,  5F151BA14 ,  5F151CB13 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03