特許

J-GLOBAL ID：201103008309858292

半導体装置およびその製造方法

発明者： 渡邉 則之 ,  横山 春喜
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  黒川 弘朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-091268
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222804
出願日： 2010年04月12日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なp型コンタクトが形成できるようにする。【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層101と、第1半導体層101の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層102と、第2半導体層102の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102を構成する第1窒化物半導体は、第3半導体層103を構成する第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。【選択図】 図1A

請求項（抜粋）：

ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくp型とされた第1半導体層と、 この第1半導体層の上に形成されたアンドープの第1窒化物半導体からなる第2半導体層と、 この第2半導体層の上に接して形成された第2窒化物半導体からなる第3半導体層と を少なくとも備え、 前記第1窒化物半導体は、前記第2窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/06 ,  H01L 33/32 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L33/00 112 ,  H01L33/00 186 ,  H01L31/04 E

Fターム (11件)：

5F041AA22 ,  5F041AA24 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151CB19 ,  5F151DA16 ,  5F151FA02 ,  5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-062667   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体素子及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-046345   出願人：富士ゼロックス株式会社