特許
J-GLOBAL ID：200903044601433810
半導体素子及び太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046345
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111074
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 低コストで、高効率であり、しかも安全で長寿命な半導体素子及び太陽電池を提供すること。【解決手段】 半導体基板上に、少なくともAl,Ga及びInから選択される1以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子である。また、半導体基板上に、組成式がAlXGaYInZNWで表される窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を有し、該X,Y,Z及びWは組成比を表し、0.8≦(X+Y+Z)/W≦1.2、かつ、0.1≦Z/(X+Y+Z)≦1.0を満たすことを特徴とする太陽電池である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくともAl,Ga及びInから選択される1以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 31/04 E
