特許
J-GLOBAL ID：201103008482890258

絶縁膜及びその製造方法

発明者：
松 木 信 雄

松 木 信 雄 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288931
特許番号：特許第3726226号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】プラズマCVD装置を使って半導体基板上に低誘電率の絶縁膜を形成するための方法であって、 以下の化学式を有するシリコン系炭化水素化合物を直接気化方式によって気化させ、前記プラズマCVD装置の反応室に導入する工程と;;化1::(式中、R1及びR2は、CH3、C2H3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかであり、m及びnは任意の整数である。)、 酸化性ガスを含まない添加ガスを反応室内に導入する工程と、 前記シリコン系炭化水素化合物及び前記添加ガスの混合ガスを反応ガスとして、プラズマ重合反応によって前記半導体基板上に低誘電率の絶縁膜を形成する工程であって、前記添加ガスの前記反応ガス全体に占める割合が17vol%未満であるところの工程と、から成り、;;数1::(ここで、Prは反応室圧力(Pa)、Psは標準気圧(Pa)、Trは反応ガスの平均温度(K)、Tsは標準温度(K)、rwシリコン基板の半径(m)、dはシリコン基板と上部電極との間隔(m)、Fは反応ガスの総流量(sccm)を表す。)で定義される滞留時間RtをRt>100msecに制御することを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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