特許

J-GLOBAL ID：201103008558955133

単一の電流経路を有するマルチレベルマスクROM

発明者： タア チェン ルー ,  チュン ジュ チェン ,  マン ツン ワン
出願人/特許権者： マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104333
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260194
特許番号：特許第3219742号
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メモリセルの第1のバンク及びメモリセルの第2のバンクを含むメモリセルのアレイを有し、上記メモリセルの第1のバンクは、選択ラインの組によって上記メモリセルの第2のバンクから分離されているマスクROMにおいて、上記選択ラインの組の第1の選択ラインは、第1のトランジスタの第1のゲートと第2のトランジスタの第2のゲートに結合され、上記第1のトランジスタは上記メモリセルの第1のバンクに結合され、上記第2のトランジスタは、上記メモリセルの第2のバンクに結合されており、且つ上記メモリセルの第1のバンク及び上記メモリセルの第2のバンクは、少なくとも1つの固定コード注入メモリセルの列を含んでいる、ことを特徴とするマスクROM。

IPC (2件)：

G11C 16/04 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 622 C ,  G11C 17/00 634 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ロム装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-142448   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
• 多値不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208045   出願人：日本電気株式会社