特許
J-GLOBAL ID：201103008671390070
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254973
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051889
特許番号：特許第3797649号
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のセクタをそれぞれ有する複数の消去ブロックが設けられており、該消去ブロックの少なくとも1つが再構築用の予備消去ブロックとして予め確保された不揮発性半導体記憶部と、
前記各消去ブロックのそれぞれの状態を前記各消去ブロック毎にブロック状態情報として設定するとともに、前記各セクタ毎のそれぞれの状態を前記各セクタ毎にセクタ状態情報として設定するファイルシステム制御部と、
前記ファイルシステム制御部にて設定される前記ブロック状態情報および前記セクタ状態情報を、前記各消去ブロック毎および前記各セクタ毎にそれぞれ格納するファイルシステム記憶手段と、
前記ファイルシステム記憶手段に格納された前記ブロック状態情報および前記セクタ状態情報を参照して前記各セクタに対するデータの処理を制御するデータ処理制御部と、を備え、
前記データ処理制御部は、前記不揮発性半導体記憶部への書き込み要求時に書き込み可能な前記消去ブロックを確保できない場合に、前記予備消去ブロックに他の消去ブロックのデータを転送することによって、そのデータ転送元の消去ブロックを新たな予備消去ブロックとするとともに、該新たな予備消去ブロックとする場合において、電源が遮断された後の電源回復時に、前記ファイルシステム記憶手段に記憶された前記ブロック状態情報に基づいて前記データ転送が完了したかを判断して、該データ転送が完了していない場合に、前記予備消去ブロックのデータを消去してデータ転送を再開することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/00 ( 200 6.01)
, G06F 12/16 ( 200 6.01)
G06F 12/00 542 M
, G06F 12/16 340 P
