特許
J-GLOBAL ID：201103008732223929

窒化物系半導体発光素子

発明者：
小谷 靖長

小谷 靖長 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-050369
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187621
出願日： 2010年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】半導体発光素子の順方向電圧を抑制し、高効率を達成する。【解決手段】基板と、前記基板上に活性領域を挟んで積層されたn型半導体層及びp型半導体層を有する窒化物系半導体発光素子であって、前記活性領域は、多重量子井戸構造を構成する障壁層と、前記障壁層の膜厚よりも厚い膜厚を有し、かつ前記p型半導体層に最も近い側に設けられた最終障壁層と、を含み、前記多重量子井戸構造を構成する障壁層の内、前記最終障壁層に隣接した2層の障壁層の平均膜厚は、他の障壁層の平均膜厚よりも薄くする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に活性領域を挟んで積層されたn型半導体層及びp型半導体層を有する窒化物系半導体発光素子であって、 前記活性領域は、多重量子井戸構造を構成する障壁層と、前記障壁層の膜厚よりも厚い膜厚を有し、かつ前記p型半導体層に最も近い側に設けられた最終障壁層と、を含み、 前記多重量子井戸構造を構成する障壁層の内、前記最終障壁層に隣接した2層の障壁層の平均膜厚は、他の障壁層の平均膜厚よりも薄いことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610
Fターム (12件)：
5F041AA21 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F173AF03 ,  5F173AF20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AR23 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (4件)
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