特許
J-GLOBAL ID：200903019249776287

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

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澤崎 勝久

澤崎 勝久 について

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中井 真仁

中井 真仁 について

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池本 由平

池本 由平 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (3件)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-296706
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108585
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 p型半導体層に超格子構造を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子の発光効率の向上を図る。 【解決手段】 n型半導体層とp型半導体層との間に活性層が挟まれる構成のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型半導体層は少なくともAlを含む第1の層及び該第1の層と組成の異なる第2の層が繰り返し積層される超格子構造を備え、活性層に最も近い第1の層のAl組成を他の第1の層のAl組成よりも低くし、かつ活性層に最も近い第1の層のp型不純物ドープ量を他の第1の層のp型不純物ドープ量よりも低くするか若しくはノンドープとする。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層とp型半導体層との間に活性層が挟まれる構成のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、 前記p型半導体層は少なくともAlを含む第1の層及び該第1の層と組成の異なる第2の層が繰り返し積層される超格子構造を備え、 前記活性層に最も近い前記第1の層のAl組成を他の前記第1の層のAl組成よりも低くし、かつ前記活性層に最も近い第1の層のp型不純物ドープ量を他の前記第1の層のp型不純物ドープ量よりも低くするか若しくはノンドープとする、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA58
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-179030   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-159482   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体レーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-052541   出願人：日本電信電話株式会社

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