特許
J-GLOBAL ID：201103008802049832
電界効果半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 東島 隆治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-576497
特許番号：特許第4132011号
出願日： 1999年10月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 高不純物濃度の第1の導電型のドレイン領域の上に形成した、低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、
前記ドレイン領域の、前記ドリフト領域に接する面の反対面に形成したドレイン電極、
前記ドリフト領域内の、前記ドレイン領域に接する面の反対面の近傍の中央領域に形成した第2の導電型の埋込ゲート領域、
前記ドリフト領域内の、前記ドレイン領域に接する面の前記反対面の近傍の端部領域に形成した第2の導電型の埋込ゲートコンタクト領域、
前記埋込ゲートコンタクト領域の上の一部分に形成した第2の導電型のゲートコンタクト領域、
前記ドリフト領域の前記反対面と、前記ゲートコンタクト領域とに囲まれた領域に形成した第1の導電型のチャネル領域、
前記チャネル領域の表面近傍の中央領域に形成した第1の導電型のソース領域、
前記ゲートコンタクト領域の表面の一部分、前記チャネル領域の表面及び前記ソース領域の表面の一部分に形成した絶縁膜、
前記絶縁膜の表面及びゲートコンタクト領域の表面に設けたゲート電極、及び
前記ソース領域に設けたソース電極、
を備え、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介して、前記ソース領域の表面の一部分まで延在しており、
前記ゲート電極と前記ソース電極とは電気的に絶縁されている電界効果半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/80 ( 200 6.01)
, H01L 29/74 ( 200 6.01)
, H01L 29/744 ( 200 6.01)
, H01L 29/749 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/80 W
, H01L 29/74 D
, H01L 29/74 C
, H01L 29/74 601 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 653 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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