保護素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：田治米登 , 田治米惠子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094385
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285778
特許番号：特許第3640146号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に発熱体及び低融点金属体を有し、発熱体の発熱により低融点金属体が溶断する保護素子であって、低融点金属体の両端にそれぞれ電極が形成され、これらの電極の間に、これらの電極と接しない位置に発熱体が設けられており、発熱体と低融点金属体が絶縁層を介さずに積層されている保護素子において、発熱体上に、発熱体及び低融点金属体よりも導電率の高い第1の良導電体層が形成され、該第1の良導電体層上に低融点金属体が積層されていることを特徴とする保護素子。

IPC (1件)：