特許
J-GLOBAL ID：201103009169297054

不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置におけるデータの消去方法

発明者：
児玉 典昭

児玉 典昭 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047535
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252447
特許番号：特許第3425881号
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板のチャネル領域上に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、前記制御ゲート電極と前記半導体基板との間に段階的に昇圧される電圧を印加する電源と、からなる不揮発性半導体記憶装置において、前記電源は、データの消去途中において、前記電圧の段階的な昇圧幅及び昇圧するまでのステップ時間とを変化させるものであリ、データの消去途中に設定された切り換え点となるしきい値の前後において前記電圧の昇圧幅とステップ時間とを変化させるものであリ、前記しきい値以後における昇圧幅が前記しきい値以前における昇圧幅よりも小さく、かつ、前記しきい値以後における昇圧までのステップ時間が前記しきい値以前におけるステップ時間よりも長い電圧を印加するものであることを特徴とするの不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (5件)
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