特許
J-GLOBAL ID：201103009796473291
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329681
特許番号：特許第3968222号
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 530°C以下の第1温度で拡散工程を実施して下部基板上にシリコン層を形成する段階と、
前記第1温度から620°C以上の第2温度まで上昇させる段階と、
シラン(SiH4)である第1フラッシュ物質を使用して前記シリコン層をフラッシングして転移層を形成する段階と、
ジクロロシラン(SiH2Cl2)およびフッ化タングステン(WF6)である第2フラッシュ物質を使用して前記シリコン層をフラッシングして前記シリコン層の上部にタングステンシリサイド(WSix)からなる第2物質層を形成し、前記転移層に前記第2物質層と前記シリコン層との間の接着力を付与する段階と、
前記第2フラッシュ物質を使用して前記転移層の上に第2物質層バルクを形成する段階と、
ジクロロシラン(SiH2Cl2)を使用して前記第2物質層バルクをフラッシングして不純物を除去する段階と、
前記第2フラッシュ物質を使用して前記第2物質層バルクをフラッシングして、前記第2物質層バルクの核を形成して前記第2物質層バルク上部の結晶大きさを減少させる段階と、
前記第1フラッシュ物質を使用して前記第2物質層バルクをフラッシングして前記シリコン層と第2物質層との間の応力を緩和させる段階と、
を含むことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 21/28 301 D
, H01L 21/285 C
, H01L 21/205
