特許

J-GLOBAL ID：201103010180803342

気相ヘテロ原子除去のための気相段間接触を伴なう2段水素処理方法

発明者： ユング,ヘンリー ,  グプタ,ラメシュ ,  エリス,エドワード,スタンレー ,  レウィス,ウィリアム,アーネスト
出願人/特許権者： エクソンモービル リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570263
特許番号：特許第4422905号
出願日： 1999年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 炭化水素質原料から、少なくとも一つの不純物を除去する方法であって、該方法は、下記工程(a)〜(d)を含むことを特徴とする水素処理方法。 (a)第一の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該原料を水素と反応させて該原料より不純物含有量が低い第一段流出物を形成する工程であって、該流出物は、第一段の水素処理された炭化水素質液体および蒸気を含み、かつ水素処理された炭化水素質原料成分を含み、しかも該液体流出物および蒸気流出物の両者は、該不純物が該液体流出物と該蒸気流出物との間で平衡状態にある該不純物を含む工程 (b)該第一段の液体流出物と蒸気流出物とを分離する工程 (c)接触段において、該蒸気中の不純物が該液体に移行するような条件下に、該蒸気流出物を、(i)該第一の反応段の液体流出物、(ii)第二の反応段の液体流出物、(iii)不純物のレベルが該原料またはそれらの混合物より低い炭化水素質原料の蒸気成分の凝縮物、またはこれらの混合物のうちの少なくとも一つを含む炭化水素質接触液体と接触させて接触段流出物を形成する工程であって、該接触段流出物は、不純物含有量が増加した炭化水素質液体および蒸気を含む、かつ不純物含有量が該第一段の流出物より少ない水素処理された炭化水素質原料成分を含む工程 (d)第二の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、該第一段および接触段の液体流出物を水素と反応させて第二段の流出物を形成する工程であって、該第二段の流出物は、水素処理された炭化水素質液体と、水素処理された炭化水素質原料成分を含む蒸気とを含むものであり、しかも該液体は、不純物含有量が該原料および第一段の液体流出物より低いものである工程

IPC (2件)：

C10G 65/02 ( 200 6.01) ,  C10G 45/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C10G 65/02 ,  C10G 45/02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 単一ストリッパー槽における多段ストリッピングを伴う多段水素処理方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-530160   出願人：エクソンリサーチアンドエンジニアリングカンパニー
• 単一反応槽における多段水素処理方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-530088   出願人：エクソンリサーチアンドエンジニアリングカンパニー