特許
J-GLOBAL ID：200903078068601015
単一ストリッパー槽における多段ストリッピングを伴う多段水素処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-530160
公開番号（公開出願番号）：特表2001-507740
出願日： 1997年12月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】2段以上の水素処理段において液体石油および化学流を水素処理する方法。水素処理段は別個の反応槽に設けられ、各反応段には水素処理触媒床が含まれる。第1の反応段からの液体生成物はストリッピング段に送られ、H2S、NH3およびその他溶解気体がストリッピングされる。ストリッピングされた生成物流は次の下流反応段に送られ、そこからの生成物の溶解気体がストリッピングされ、最後の反応段まで次の下流反応段に送られ、その液体生成物の溶解気体がストリッピングされ、集められる、またはさらなる処理のために通過していく。処理ガスの流れは、液体流に対して反応段が配置されているのとは逆の方向である。各ストリッピング段は別個の段であるが、すべて同一のストリッピング槽内に含まれている。
請求項（抜粋）：
それぞれ水素処理触媒(hydroprocessing catalyst)を含有する2段以上の反応段で、水素含有処理ガスの存在下に炭化水素系供給原料を水素処理する方法であって、該方法において(1)供給原料の流れについての第1の反応段は、処理ガスの流れについては最後であり、(2)供給原料の流れについての各連続する下流反応段は、処理ガスの流れについては次の上流段であり、(3)供給原料と処理ガスは両者とも、各反応段において同時に流れ(flow co-currently)、(4)各反応段からの液体生成物は、そのストリッピング段において溶解気体をストリッピングされ、(5)2段以上のストリッピング段が単一のストリッピング槽に収納されており、さらに該方法は、下記工程(a)〜(g)を含むことを特徴とする水素処理方法。(a)該炭化水素系供給原料を、第1の反応段において、貫流水素含有処理ガスおよび下流反応段からの循環処理ガスを含む処理ガスの存在下で反応させる工程であって、該反応段は、水素処理触媒を含有し、水素処理条件で運転されて、液体成分と蒸気成分とからなる反応生成物を生成する工程(b)該蒸気成分と液体成分とを分離する工程(c)該液体成分についてのみのストリッピング域において、該液体成分から溶解した気体状物質をストリッピングする工程(d)工程(c)の該ストリッピングされた液体成分を、供給原料の流れについての次の下流反応段において反応させる工程であって、該反応段は、水素処理触媒を含有し、水素処理条件で運転されて、液体成分と蒸気成分とからなる反応生成物を生成する工程(e)該蒸気成分と該液体成分とを分離する工程(f)該液体成分についてのみのストリッピング域において、該液体成分から溶解した気体状物質をストリッピングする工程(g)該液体流が、供給原料についての最後の下流反応段で処理されるまで、(d)、(e)および(f)を繰り返す工程
IPC (7件)：
C10G 65/02
, C10G 45/04
, C10G 45/08
, C10G 45/10
, C10G 45/52
, C10G 47/16
, C10G 47/18
C10G 65/02
, C10G 45/04 Z
, C10G 45/08 Z
, C10G 45/10 Z
, C10G 45/52
, C10G 47/16
, C10G 47/18
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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