成膜方法および成膜装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-111986
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243620
出願日： 2010年05月14日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】350°C以下の低温成膜において、従来よりも耐ウエットエッチング性が高い酸化シリコン膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】処理容器内に被処理体(半導体ウエハ)を搬入し、被処理体の温度を350°C以下として、Siソースガスとしてのアミノシランガスと酸化ガスとを前記処理容器内に供給し、被処理体の表面に酸化シリコン膜を形成するにあたり、酸化ガスとして、O2ガスおよびO3ガスの少なくとも一方からなる第1酸化ガスと、H2OガスおよびH2O2ガスの少なくとも一方からなる第2酸化ガスとで構成されるものを用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理容器内に被処理体を搬入し、被処理体の温度を350°C以下として、Siソースガスとしてのアミノシランガスと酸化ガスとを前記処理容器内に供給し、被処理体の表面に酸化シリコン膜を形成する成膜方法であって、前記酸化ガスは、O2ガスおよびO3ガスの少なくとも一方からなる第1酸化ガスと、H2OガスおよびH2O2ガスの少なくとも一方からなる第2酸化ガスとで構成されることを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/42

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , H01L21/31 C , C23C16/42

Fターム (29件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045BB07 , 5F045BB17 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F058BA08 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF06 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-320973 出願人：日本電気株式会社
Si及び金属ナノ結晶核形成のためのプラズマ表面処理
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-254925 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-002550 出願人：東京エレクトロン株式会社

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