特許
J-GLOBAL ID：201103010732369030

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263257
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083695
特許番号：特許第3812622号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有し、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とする、ArFエキシマレーザー用レジスト材料。 (式中、R1は水酸基、ニトロ基、又はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。また、2個のR1は環を形成しても良く、その場合にはR1はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。K-はハライドイオン、1,1,1-トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、アリールスルホネート、アルキルスルホネートから選ばれる非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)
IPC (7件)：
G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  C08L 33/04 ( 200 6.01) ,  C08L 35/00 ( 200 6.01) ,  C08L 45/00 ( 200 6.01) ,  C08L 101/00 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (7件)：
G03F 7/004 503 A ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L 101/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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