半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102604
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294655
特許番号：特許第3539887号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された回路素子と、前記回路素子と電気的に接続された抵抗素子とを有する半導体装置において、前記抵抗素子が前記回路素子を覆う層間絶縁膜上に形成され、該抵抗素子の抵抗値が該回路素子の特性に応じて設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：