特許
J-GLOBAL ID:201103010928910970

イオン注入装置及びイオンを注入する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萼 経夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-364534
公開番号(公開出願番号):特開2000-195462
特許番号:特許第4470127号
出願日: 1999年12月22日
公開日(公表日): 2000年07月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】 イオンを注入表面に衝突させるイオン注入装置において、 (a)内部に1つまたは複数の加工物を挿入してイオンの処理が可能な室内部を形成する処理室と、 (b)この処理室内にイオンプラズマを形成するエネルギー源と、 (c)前記イオンプラズマを監視して光学的分析データを与える光学式センサと、 (d)この光学式センサから得られた前記光学的分析データが前記イオンプラズマの成分と関連付けられて、記憶媒体に蓄積されるデータベースと、 (e)1つまたは複数の加工物を前記処理室の内部領域内に配置して、前記1つまたは複数の加工物の注入表面が前記イオンプラズマ内に配置されるようにする加工物支持体と、 (f)前記イオンプラズマからのイオンを前記加工物の注入表面に衝突させる電界を発生させる導電部材と、 (g)この導電部材と電気接続され、電気パルスを加えて前記加工物の注入表面内にイオンを打ち込むためのパルス発生器と、 (h) バイアスされた前記注入表面に対して平行なイオン収集表面を含み、前記電気パルス間の時間中、イオンが浮遊されないように、電気的にバイアスされた1つ以上のドーズ測定カップと、 (i)このドーズ測定カップのデータから前記加工物のイオンドーズ量特性を計算するための計算手段と、を含むことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件):
H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01J 37/317 C ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 T
引用特許:
審査官引用 (5件)
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