特許
J-GLOBAL ID：200903086141977048
ワークピースの表面を処理する方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226882
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】ワークピースの表面にイオンを衝突させてこの表面を処理する方法及びその装置を提供すること。【解決手段】注入室12は室内部を形成し、その中にワーク支持体30が伸び、この上の領域34に1つ以上のワークピース14を置くように、支持体に対面する導電性の電極32が配置される。ガス分子は、注入室内に放出されてワークピース14に近接する領域を占有し、ワークピース14の注入表面の近くでイオン化する。制御回路100 が、支持体30、ワークピース14、及び導電性の室内壁部分22に対して電極を正の電位となるようにパルスを印加する。このため、制御回路100 は、ワークピース14の注入表面にイオンを衝突させる前にイオン化したガス分子を加速するための電界を与える電源を備えている。
請求項（抜粋）：
ワークピースの表面にイオンを衝突させてこの表面を処理する方法であって、(a) 室内部(24)を有し、かつ1つ以上のワークピース(14)を支持するための導電性のワーク支持体(30)を前記室内部(24)に配置し、さらにワークピースを、ワーク支持体上の、前記ワーク支持体と導電性の電極との間の領域に置くことができるように、前記ワーク支持体に対して導電性の電極を配置しているイオン注入室(12)を設け、(b) 1つ以上のワークピースをイオン注入室(12)に挿入して、ワークピースの注入表面が前記電極に対面するように、このワークピースを前記ワーク支持体(30)上に配置し、(c) 前記ワーク支持体(30)、1つ以上のワークピース、及びイオン注入室(12)の導電性の壁部分を基準電位に保ち、(d) 前記イオン注入室内のイオン化可能な注入物質を、前記ワーク支持体(30)によって支持される1つ以上のワークピースに近接して配置し、(e) この注入物質をイオン化して、前記ワークピースの注入表面の近くにイオンプラズマを形成し、(f) 電界を介してプラズマ内のイオンを加速して、前記ワークピースの注入表面にイオンを衝突させる、各工程を含んでいることを特徴とするワークピースの表面を処理する方法。
IPC (3件)：
C23C 14/48
, H01J 37/317
, H01L 21/265
C23C 14/48 Z
, H01J 37/317 Z
, H01L 21/265 F
