固体撮像装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 伊藤仁恭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291363
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299453
特許番号：特許第4604296号
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 MOS型あるいはC-MOS型の固体撮像装置であって、第2導電型の半導体領域の所要の深さ位置に形成した第1導電型の第1の半導体ウェル領域と、前記第1の半導体ウェル領域の上に形成された高抵抗半導体領域と、前記高抵抗半導体領域の表面に形成された第2導電型の電荷蓄積領域と、を有してpn接合型のセンサ部が構成され、前記電荷蓄積領域より低不純物濃度である前記高抵抗半導体領域が、前記第2導電型の半導体領域を前記第1の半導体ウェル領域で分離した表面側の第2導電型の領域で形成され、さらに、前記センサ部を画素分離する素子分離層と、前記素子分離層の下に形成されて前記第1の半導体ウェル領域に達する第1導電型の第2の半導体ウェル領域を有し、前記第2の半導体ウェル領域が、前記電荷蓄積領域と前記素子分離層の間に延長し、前記電荷蓄積領域に接して形成される固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ( 200 6.01) , H04N 5/361 ( 201 1.01)

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 610

引用特許：

審査官引用 (7件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-248362 出願人：株式会社東芝
固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203817 出願人：株式会社東芝
特開平1-248658

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