特許

J-GLOBAL ID：201103011350471150

炭化珪素半導体素子

発明者： 荻野 慎次
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079780
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280573
特許番号：特許第4042336号
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】炭化珪素半導体基板上に炭化珪素エピタキシャル層を成長した炭化珪素半導体素子において、炭化珪素エピタキシャル層に含まれる窒素濃度が2×1014/cm3以上1×1015/cm3以下であり、該炭化珪素エピタキシャル層が、窒素以外のVb 属元素、またはVI族元素を含み、窒素以外のVb 属元素、またはVI族元素の濃度が、1×1015/cm3以上であることを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (7件)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/32 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140681   出願人：株式会社デンソー
• CVDによるエピタキシャル成長中にサセプターを保護する方法と装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-523457   出願人：エービービーリサーチリミテッド