特許
J-GLOBAL ID:201103011621612170

太陽電池素子、カラーセンサ、ならびに発光素子及び受光素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-261564
公開番号(公開出願番号):特開2011-135058
出願日: 2010年11月24日
公開日(公表日): 2011年07月07日
要約:
【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。【解決手段】太陽電池素子100は、基板110と、マスクパターン120と、半導体ナノロッド130と、第1の電極150と、第2の電極160とを有する。半導体ナノロッド130は、基板110上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド130同士の中心間距離pと、半導体ナノロッド130の最小径dとの比p/dが1〜7の範囲にある。半導体ナノロッド130は、第1の導電型の半導体からなる中心ナノロッド131と、真性半導体からなり中心ナノロッド131を被覆する第1の被覆層132と、第2の導電型の半導体からなり第1の被覆層132を被覆する第2の被覆層138とを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、前記基板の表面に配置され2以上の開口部を有するマスクパターンと、前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する2以上の半導体ナノロッドと、前記半導体ナノロッドの下端に接続された第1の電極と、前記半導体ナノロッドの上端に接続された第2の電極とを有する太陽電池素子であって、 前記半導体ナノロッドは、基板上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う前記半導体ナノロッド同士の中心間距離pと、前記半導体ナノロッドの最小径dとの比p/dが1〜7の範囲にあり、 前記半導体ナノロッドは、第1の導電型の半導体からなる中心ナノロッドと、真性半導体からなり前記中心ナノロッドを被覆する第1の被覆層と、第2の導電型の半導体からなり前記第1の被覆層を被覆する第2の被覆層とを有することを特徴とする太陽電池素子。
IPC (3件):
H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/24
FI (4件):
H01L31/04 W ,  H01L31/04 E ,  H01L31/10 D ,  H01L33/00 174
Fターム (34件):
5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB25 ,  5F041CB29 ,  5F041CB32 ,  5F041DA20 ,  5F041DA82 ,  5F041EE01 ,  5F041FF14 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049QA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09 ,  5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB02 ,  5F151CB12 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA07 ,  5F151DA13 ,  5F151DA15 ,  5F151DA19 ,  5F151GA03 ,  5F151GA04
引用特許:
審査官引用 (4件)
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