太陽電池素子、カラーセンサ、ならびに発光素子及び受光素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-261564
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135058
出願日： 2010年11月24日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。【解決手段】太陽電池素子100は、基板110と、マスクパターン120と、半導体ナノロッド130と、第1の電極150と、第2の電極160とを有する。半導体ナノロッド130は、基板110上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド130同士の中心間距離pと、半導体ナノロッド130の最小径dとの比p/dが1〜7の範囲にある。半導体ナノロッド130は、第1の導電型の半導体からなる中心ナノロッド131と、真性半導体からなり中心ナノロッド131を被覆する第1の被覆層132と、第2の導電型の半導体からなり第1の被覆層132を被覆する第2の被覆層138とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の表面に配置され2以上の開口部を有するマスクパターンと、前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する2以上の半導体ナノロッドと、前記半導体ナノロッドの下端に接続された第1の電極と、前記半導体ナノロッドの上端に接続された第2の電極とを有する太陽電池素子であって、前記半導体ナノロッドは、基板上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う前記半導体ナノロッド同士の中心間距離pと、前記半導体ナノロッドの最小径dとの比p/dが1〜7の範囲にあり、前記半導体ナノロッドは、第1の導電型の半導体からなる中心ナノロッドと、真性半導体からなり前記中心ナノロッドを被覆する第1の被覆層と、第2の導電型の半導体からなり前記第1の被覆層を被覆する第2の被覆層とを有することを特徴とする太陽電池素子。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 31/10 , H01L 33/24

FI (4件)：

H01L31/04 W , H01L31/04 E , H01L31/10 D , H01L33/00 174

Fターム (34件)：

5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CB25 , 5F041CB29 , 5F041CB32 , 5F041DA20 , 5F041DA82 , 5F041EE01 , 5F041FF14 , 5F049MA03 , 5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049QA07 , 5F049SE02 , 5F049SE05 , 5F049WA03 , 5F049WA09 , 5F151AA02 , 5F151AA08 , 5F151CB02 , 5F151CB12 , 5F151CB24 , 5F151DA03 , 5F151DA04 , 5F151DA07 , 5F151DA13 , 5F151DA15 , 5F151DA19 , 5F151GA03 , 5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-106213 出願人：本田技研工業株式会社, 国立大学法人北海道大学
ナノ構造及びナノワイヤーの組立方法並びにそれらから組立てられた装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-578579 出願人：ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア
多層膜-ナノワイヤ複合体、両面及びタンデム太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-001735 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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