特許
J-GLOBAL ID：201103011888525217

III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

, 
荒添 直棋

荒添 直棋 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-150341
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009386
出願日： 2009年06月24日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】III 族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させること。【解決手段】発光素子100は、n型層106のn電極107側表面であって、n電極107が形成されていない領域に、ドット状の溝108が複数形成されている。この溝108は、n型層、活性層、p型層を貫通し、エッチングストッパ層109に達する深さである。溝108は、n電極107が形成されていない領域にマトリクス状に配置されている。溝108の側面に入射した光は、効率的に外部へ放射させることができるので、発光素子100の構成によれば光取り出し効率を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性の支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、 前記n型層の前記n電極形成側に、前記n型層の前記n電極形成側表面が一続きであるパターンに形成された溝と、 前記溝の側面および底面に形成された透光性の絶縁膜と、 を備え、 前記溝は、少なくとも前記p型層に達する深さであり、 前記n電極は配線状に形成されている、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186
Fターム (5件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74
引用特許：
審査官引用 (5件)
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