特許
J-GLOBAL ID：200903057192784317

半導体発光素子

発明者：
飯塚 和幸

飯塚 和幸 について

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今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

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新井 優洋

新井 優洋 について

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秋元 克弥

秋元 克弥 について

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海野 恒弘

海野 恒弘 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-226402
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053344
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】光取り出し効率が向上する半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光層2を含む複数の層を積層形成してなる半導体3と、該半導体3の一方の主表面S2側を覆う反射金属層4と、この反射金属層4と上記半導体3との界面に形成され上記反射金属層4の面に離散させて配置されたオーミックコンタクト接合部5と、上記発光層2中の上記オーミックコンタクト接合部5に重なる箇所に形成された空隙6とを備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含む複数の層を積層形成してなる半導体と、該半導体の一方の主表面側を覆う反射金属層と、この反射金属層と上記半導体との界面に形成され上記反射金属層の面に離散させて配置されたオーミックコンタクト接合部と、上記発光層中の上記オーミックコンタクト接合部に重なる箇所に形成された空隙とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (17件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (8件)
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