特許
J-GLOBAL ID：201103012733534356
二重イオン源をもつ処理システム
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹内 澄夫
, 堀 明▲ひこ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-549074
特許番号：特許第3547398号
出願日： 1999年05月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板処理システムであって,処理チェンバーと,磁気ハードディスクの製造において、両平坦面上に同時に付着が生じるよう平坦なディスク基板を保持するべく、該処理チェンバー内に設置された基板ホルダーと,処理ガスを前記処理チェンバーに供給するための,前記処理チェンバーに連結されたガス源と,前記基板ホルダーに配置された基板を処理するためのイオンを形成するために,前記処理ガスをイオン化するための前記チェンバー内にある第一のイオン源であって,第一の陽極および第一の電子源を含むところの第一のイオン源と,基板を処理するためのイオンを形成するために,前記処理ガスをイオン化するための,前記チェンバー内にある第二のイオン源であって,第二の陽極および第二の電子源からなるところの第二のイオン源と,前記第一および第二のイオン源の一方のみが,常に付勢されるように,1kHzから100kHzまでの周波数範囲の時間多重化法で,前記第一の陽極および前記第二の陽極を付勢するパワー源と,から成り、 前記第一及び前記第二のイオン源は前記基板ホルダー上のディスクに関して対称的に配置され、それぞれのイオン源は前記ディスクの平坦面に面している、ところの基板処理システム。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, G11B 5/84
, H05H 1/46
C23C 16/50
, G11B 5/84 B
, H05H 1/46 R
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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