特許
J-GLOBAL ID：201103012783888639
半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外10名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053116
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317418
特許番号：特許第3503739号
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体デバイスの製造方法において、(a)ホトレジスト層を基板上に形成するステップと、(b)ホトレジスト層の選択した部分を第1ドーズ量のUV放射に露光するステップと、(c)露光された基板の部分を残すホトレジストパターンを形成するためにホトレジスト層を生成するステップと、(d)ホトレジストパターンを10-200ジュール/cm2の範囲内の、前記第1ドーズ量の20倍以上でUV放射に露光するステップと、(e)金属層をホトレジストパターン及び基板の露光された部分に、金属ターゲットから金属をスパッタリングすることによって堆積するステップであって、前記金属層及び基板がスパッタリング中に100°C以上の温度に加熱されるステップと、(f)基板からホトレジスト層を除去してリフトオフによって金属化層をパターン化し、残っている基板上に金属化層の部分を残すステップとを含むことを特徴とする製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/92 604 P
, H01L 21/92 604 R
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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