特許
J-GLOBAL ID：201103013144811982
半導体圧力センサの構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108613
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298071
特許番号：特許第3458761号
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板の基板面より凹部を形成し、その凹部の底面部が肉薄のダイヤフラムとして設けられる半導体圧力センサチップに、圧力導入孔が形成されたガラス台座を陽極接合により接合し、前記圧力導入孔より導入された圧力を前記ダイヤフラムのたわみ量として検出し、このたわみ量を電気信号に変換する半導体圧力センサの構造であって、前記半導体圧力センサチップにおける前記ダイヤフラムの圧力を受ける受圧面および前記凹部の側面に生じた傾斜面および前記ガラス台座との接合面に、圧力媒体として用いられる腐食性の液体またはガスに対する耐腐食性を備えたTiからなる導電性薄膜が形成され、かつ前記半導体圧力センサチップにおける前記ガラス台座との接合面に形成された導電性薄膜上にSi薄膜が形成され、Si薄膜と前記ガラス台座が陽極接合されてなることを特徴とする半導体圧力センサの構造。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/06
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 Z
, H01L 29/84 B
