特許

J-GLOBAL ID：201103013167578126

光起電力素子の製造方法

発明者： 羽賀 孝裕 ,  廣瀬 浩一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044461
特許番号：特許第3825585号
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】結晶系半導体基板の裏面側の面上に、非晶質又は微結晶からなる真性半導体層及び一導電型半導体層をこの順序でマスクを用いて前記基板より小面積に形成する工程と、前記半導体基板の表面側の面上の略全面に、非晶質又は微結晶からなる真性半導体層及び前記一導電型と逆導電型の半導体層をこの順序で形成する工程とを備えることを特徴とする光起電力素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-313293   出願人：京セラ株式会社
• 光起電力素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-278991   出願人：三洋電機株式会社