特許
J-GLOBAL ID：201103013212512158
半球形結晶粒の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197786
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315780
特許番号：特許第4008625号
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に貯蔵電極用ポリシリコン膜を形成する段階;
前記ポリシリコン膜を食刻パターニングする段階;
前記食刻パターニングされたポリシリコン膜の表面を半球形結晶粒成長用反応チャンバ内でクリーニングする段階;
前記クリーニングされたポリシリコン膜の表面へインシチュで半球形結晶粒を成長させる段階;を含み、
前記クリーニングする段階において、前記食刻パターニングされたポリシリコン膜の表面の水平部分と垂直部分とのクリーニングの程度を相互に異ならせることにより、前記半球形結晶粒を成長させる段階において、前記水平部分における半球形結晶粒成長の大きさを前記垂直部分における半球形結晶粒成長の大きさよりも大きくすることを含むことを特徴とする半球形結晶粒製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
