特許

J-GLOBAL ID：201103013228773555

フッ素含有誘電絶縁層を含む相互接続構造及びこれを形成する方法

発明者： アルフレッド・グリル ,  クリストファー・ヴィンセント・ヤーネス ,  ビシュヌバーイ・ヴィッタルバーイ・パテル ,  キャサリン・リン・ゼンガー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223939
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082741
特許番号：特許第3327873号
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のフッ素化誘電絶縁層と、導電ビアによって電気的に接続された1つまたは複数の導電配線パターン層とを備え、前記導電配線パターンおよびビアが、少なくとも1つの電気絶縁性のフッ素抵抗キャッピング材料によって、第1の1組の選択された表面上のフッ素化誘電絶縁層から絶縁され、かつ少なくとも1つの導電性のフッ素抵抗キャッピング材料および/または線状材料によって、第2の1組の選択された表面上のフッ素化誘電絶縁層から絶縁されることを特徴とする相互接続構造。

IPC (1件)：

H01L 21/768

FI (1件)：

H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235164   出願人：日本電気株式会社
• 含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-019933   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ