特許

J-GLOBAL ID：200903094392213457

含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法

発明者： カレン・メーフ ,  ミハイル・ロディオノビッチ・バクラノフ ,  セルジェ・ファンヘーレメーアスフ
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312682
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 集積回路の金属多層配線等において、層間の誘電体には、回路遅延抑制の観点からは低誘電率である含フッ素誘電体の使用が好ましい。しかし、含フッ素誘電体から拡散するフッ素によって、金属配線等の導電性パターンが腐食や特性劣化を起す問題があった。【解決手段】 本発明の金属配線構造は、含フッ素誘電体と、導電性パターンの間に、フッ素と反応してフッ素の拡散障壁となるフッ化物を形成するバリア層を設けることにより、導電性パターンの腐食や特性劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

導電性パターンと、含フッ素誘電体と、バリア層を備えた金属配線構造であって、上記バリア層が少なくとも上記導電性パターンと上記含フッ素誘電体に挟まれた領域に形成されており、当該領域において上記バリア層が導電性材料から成る第1の層と該導電性材料のフッ化物から成って上記含フッ素誘電体に接する第2の層から成ることを特徴とする金属配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/312 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212332   出願人：株式会社東芝
• 接触ホール埋立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-228549   出願人：財団法人韓国電子通信研究所
• チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164895   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-243973   出願人：株式会社東芝