特許

J-GLOBAL ID：201103013367094000

絶縁膜およびその製造方法、並びに電子装置

発明者： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  山口 城 ,  鈴木 克己
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075948
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268632
特許番号：特許第3531520号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 フラーレンを真空蒸着し、次いで該フラーレン分子相互間に光架橋反応を生じさせ、高分子化した絶縁膜。

IPC (7件)：

H01B 3/02 ,  C08G 61/02 ,  C23C 14/06 ,  H01B 17/62 ,  H01B 19/04 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01B 3/02 Z ,  C08G 61/02 ,  C23C 14/06 F ,  H01B 17/62 ,  H01B 19/04 ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• フラーレン薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-101978   出願人：日本電気株式会社
• 絶縁材料及びその製造方法、フッ素化フラーレン含有膜の製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-292208   出願人：ソニー株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

審査官引用 (2件)

• フラーレン薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-101978   出願人：日本電気株式会社
• 絶縁材料及びその製造方法、フッ素化フラーレン含有膜の製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-292208   出願人：ソニー株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所