磁気抵抗効果素子、及び磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (21件)：鈴江武彦 , 蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 風間鉄也 , 勝村紘 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-125700
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194398
出願日： 2009年05月25日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第1の強磁性層102と、前記第1の強磁性層の上方に形成された第2の強磁性層104と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層207と、前記絶縁層と前記第2の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第2の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層208とを具備する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板の上方に形成された第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層の上方に形成された第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた第1のMgO層と、前記第1のMgO層と前記第2の強磁性層との間に設けられ、前記第1のMgO層の前記第2の強磁性層側の面に接し、前記第1のMgO層よりMgが多く含有された第2のMgO層とを具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/32

FI (4件)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01F10/32

Fターム (48件)：

4M119AA06 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD06 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD32 , 4M119DD45 , 4M119JJ02 , 4M119JJ09 , 4M119JJ12 , 5E049AC05 , 5E049BA22 , 5E049CB01 , 5E049DB11 , 5F092AA02 , 5F092AA06 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC14 , 5F092BC22 , 5F092BC45 , 5F092BE24 , 5F092BE27 , 5F092CA15 , 5F092CA19 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-070650 出願人：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316799 出願人：株式会社東芝
トンネルバリア層の形成方法、ならびにTMRセンサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-309492 出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

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