低濃度アルカリ金属保有の六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層およびその生成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-511830
公開番号（公開出願番号）：特表2011-523931
出願日： 2009年05月28日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、c面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の1つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、c面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。

請求項（抜粋）：

低い不純物濃度のアルカリ金属を有する六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することと、該六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に該六方晶系ウルツ鉱エピタキシャル層を成長させることであって、該表面はc面とは異なる結晶面を有する、こととを含む、方法。

IPC (9件)：

C30B 29/38 , C30B 23/08 , C30B 25/18 , C23C 14/06 , C23C 16/34 , H01L 33/32 , H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 21/203

FI (9件)：

C30B29/38 D , C30B23/08 M , C30B25/18 , C23C14/06 A , C23C16/34 , H01L33/00 186 , H01S5/323 610 , H01L21/205 , H01L21/203 M

Fターム (60件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DA05 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA01 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077SC01 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB09 , 4K029CA01 , 4K029CA02 , 4K029DB03 , 4K029DB05 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA31 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA66 , 5F045AA01 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045AF16 , 5F045BB14 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH08 , 5F103LL02 , 5F103RR05 , 5F173AH22 , 5F173AP04 , 5F173AP09 , 5F173AP24 , 5F173AR83

引用特許：

審査官引用 (3件)

III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-003312 出願人：株式会社リコー
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-269799 出願人：三洋電機株式会社
エピタキシャル成長用基板
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-538438 出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社

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