窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269799
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111514
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】活性層の結晶性を向上させることにより活性層の発光強度を向上させることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、n型クラッド層2と、MQW活性層12と、n型クラッド層2とMQW活性層12との間に形成され、n型クラッド層2よりも大きいバンドギャップを有するとともに、n型クラッド層2とMQW活性層12との中間の格子定数を有するオーバフロー防止層11と、p型クラッド層4とMQW活性層12との間に形成され、p型クラッド層4よりも大きいバンドギャップを有するとともに、p型クラッド層4とMQW活性層12との中間の格子定数を有するオーバフロー防止層13とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1窒化物系半導体層と、窒化物系半導体からなる活性層と、前記第1窒化物系半導体層と前記活性層との間に形成され、前記第1窒化物系半導体層よりも大きいバンドギャップを有するとともに、前記第1窒化物系半導体層と前記活性層との中間の格子定数を有するキャリアのオーバフローを防止するための第2窒化物系半導体層とを備えた、窒化物系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01S5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (33件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA76 , 5F041CA92 , 5F041CB13 , 5F041DA03 , 5F041DA43 , 5F073AA13 , 5F073AA42 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073DA04 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073EA24 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-045292 出願人：株式会社東芝
特開昭61-007674
窒化物半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-290218 出願人：日亜化学工業株式会社

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