特許
J-GLOBAL ID：201103014002622526
プラズマプロセス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317947
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135627
特許番号：特許第3599619号
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】マイクロ波によりプラズマ状態にされた反応ガスを用いて基板表面にプラズマプロセスを行なうプラズマプロセス装置であって、前記基板を内部に支持可能な処理室と、マイクロ波を伝送するためのマイクロ波伝送手段と、前記基板表面に対面する主表面を有し、かつ前記マイクロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を前記主表面から前記処理室内に放射する複数の誘電体板と、前記処理室に反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給路と、複数の前記誘電体板を前記処理室に支持するために複数の前記誘電体板の周縁部を保持する誘電体板支持部材とを備え、複数の前記反応ガス供給路の各々は、前記基板表面の対面側に開口された反応ガスの吹出口を有し、かつ複数の前記吹出口は前記誘電体板の前記主表面端縁より外周領域において前記主表面の周囲を取囲む位置に配置されており、かつ前記誘電体板支持部材に設けられており、前記反応ガス供給路の壁面の一部は、前記誘電体板支持部材と前記処理室との接続領域内において、隙間を介して互いに対向する前記誘電体板支持部材と前記処理室との表面により構成されている、プラズマプロセス装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/511
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 21/31 C
, C23C 16/511
, H01L 21/205
, H01L 21/302 101 D
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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