特許

J-GLOBAL ID：201103014540358260

SiC単結晶の製造方法

発明者： 石井 伴和
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-033949
公開番号（公開出願番号）：特開2011-168447
出願日： 2010年02月18日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】種結晶及びその近傍に付着する多結晶を抑制することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】種結晶保持部の下端に保持された第1の種結晶を坩堝内の原料融液に浸漬させることにより前記第1の種結晶上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、前記第1の種結晶以外の部分で、多結晶の成長を促進させる処理が行われることを特徴とするSiC単結晶の製造方法が提供される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

種結晶保持部の下端に保持された第1の種結晶を坩堝内の原料融液に浸漬させることにより前記第1の種結晶上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、 前記第1の種結晶以外の部分で、多結晶の成長を促進させる処理が行われることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA11 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38 ,  4G077QA52

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-260498
  
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社
• 溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-321260   出願人：トヨタ自動車株式会社