特許

J-GLOBAL ID：201103014690249086

半導体装置およびその製造方法

発明者： 今須 誠士 ,  細川 浩二 ,  伊東 修 ,  宮本 俊夫 ,  吉田 育生
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215297
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031727
特許番号：特許第4259774号
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 サブストレートと、 前記サブストレート上に列状に配置された複数のパッドと、 前記複数のパッドの各々の主面を覆い、かつ前記主面を露出する第一開口を有するパッシベーション膜と、 前記複数のパッド及び前記パッシベーション膜を覆い、前記複数のパッドの主面を露出する第二開口を有する第一樹脂膜と、 前記第一樹脂膜上に位置し、前記複数のパッドのそれぞれにおいて前記パッシベーション膜の前記第一開口および前記第一樹脂膜の前記第二開口を介して前記パッドに電気的に接続された複数の配線と、 前記複数の配線のそれぞれに電気的に接続された複数のバンプと、を含み、 前記パッシベーション膜上には、第二樹脂膜が形成されており、 前記第一樹脂膜は、前記パッシベーション膜および前記第二樹脂膜上に形成されており、 前記複数のパッドの配列方向において、前記第二開口の幅は、前記第一開口の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/12 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-140186   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-301035   出願人：九州日本電気株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-373393   出願人：三星電子株式会社